黄昆

1919年（中华民国八年）9月2日，黄昆出生于北京，黄昆小学就读于北师大附小、上海光华小学，中学在燕大附中、北京通县潞河中学度过。他从小聪明好学，学习成绩优异，高中三年成绩始终是全班第一。

1937年（中华民国二十六年），黄昆考入燕京大学物理系。

1941年（中华民国三十年），毕业于燕京大学物理系，在大学期间，黄昆对世界新兴的量子力学痴迷，完成了《海森堡和薛定锷量子力学理论的等价性》论文，获学士学位，毕业后在昆明西南联合大学物理系任助教。

1942年（中华民国三十一年），黄昆考取西南联合大学理论物理研究生，导师为物理学家吴大猷。

1944年（华民国三十三年），黄昆完成了《日冕光谱线的激起》的论文，获北京大学硕士学位，毕业后，在昆明天文台任助理研究员。

1945年（中华民国三十四年）8月，黄昆在英国布里斯托大学做了莫特的博士研究生，两年中黄昆完成了三篇论文，其中一篇论文后来被称为“黄漫散射”。同年10月

黄昆完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的“黄方程”和“声子极化激元”概念，另一项是与后来成为他妻子的里斯（A.Rhys，中文名李爱扶）共同提出的“黄－里斯理论”。提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，被称为“黄散射”，与里斯共同提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论；同期佩卡尔发表了相平行的理论，被国际上称为“黄-佩卡尔理论”或“黄-里斯理论”；提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，当时提出的方程，被称为“黄方程”；研究半导体量子阱超晶格物理。建立超晶格光学振动的理论，发表了后来被国际物理学界称为“黄－朱模型”的理论。

黄昆和学生详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态，发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法，从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学

曾任中国科学院半导体研究所研究员、所长、名誉所长，中国物理学会理事长等。

中国人民政治协商会议第五届全国委员会常务委员会委员（1978年），以后分别连任第六届、第七届、第八届政协常委。

中国物理学会理事长、科学院数理学部常委，中华人民共和国第三届全国人民代表大会代表（1964年）

1977年，黄昆被调到科学院半导体研究所任所长。

国际纯粹物理和应用物理协会（IUPAP）半导体委员会委员（1985-1988年）。

父亲黄徵是中国银行高级职员，母亲贺延祉也是银行职员。母亲毕业于北京女子师范大学。

黄昆他好比现代的凤凰涅槃，从灰烬中飞起又成为世界领头的固体物理学家。(国际著名固体物理学家、德国马克斯普朗克协会固体物理研究所前所长卡多纳（M．Cardona）评)

黄昆先生是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。黄昆先生一贯强调德才兼备，教书与育人相结合的教育原则，呕心沥血，教诲提携，以极大精力投入为国家培养科技人才的光荣事业，认为在中国培养一支科技队伍的重要性远远超过他个人在学术上的成就，堪称中国科学界的典范。黄昆先生为我们留下的不仅是一些举世瞩目的科学成果，还有在科学研究上不断创新、勇于探索的精神，还有严谨求实的治学态度和淡泊明志的高尚情操。他对祖国的赤子之情，对事业的赤子之诚，对党的赤诚之心和高尚的情操将垂范世人，启迪后学。（北京大学物理学院教授秦国刚院士评）

黄昆先生最重要的贡献就是创办五校联合半导体专门化，为国家的半

铜像

2006年12月15日，由北京大学物理学院、北京大学微电子研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室联合主办的黄昆先生铜像落成仪式在北京大学物理大楼举行，北京大学党委书记闵维方出席仪式，并与黄昆的夫人李爱扶女士、长子黄志勤先生等一起为铜像揭幕。

追思会

2015年7月6日上午，在黄昆院士逝世十周年之际，中国科学院半导体研究所在学术会议中心举行了黄昆院士学术思想研讨会暨黄昆先生逝世十周年追思会，以纪念中科院院士黄昆对科学事业做出的贡献，深切缅怀他的高尚品格和道德情操。中科院院士秦国刚、王阳元、甘子钊、朱邦芬、王启明、郑厚植和夏建白，北大、清华部分师生，半导体所领导，超晶格国家重点实验室员工及学生等参加了追思会。追思会由中科院院士、半导体所所长李树深主持。