王守武

1919年3月15日，王守武出生于江苏省苏州市东山镇，孩童时代常被疟疾纠缠，身体状况不好，智力也一度受到影响。上学后，经常性的病休，持续不断的自学磨练，使王守武从小就养成了寡言、内向的性格，和善于独立思考的习惯。

1923年，在他4岁时，父亲赴上海与他人合股开办机械厂，家人也随之迁居。不到两年，工厂倒闭，家里分得不少机械加工工具，这却使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺，这培养和磨练他的动手能力。他喜爱数学的父亲工作之余，常给子女们讲些趣味数学，或出一些智力测验题让孩子们回答，王守武随哥姐们听父亲讲过如何求圆周率π的问题，他虽听不懂，但“π”这个无理数的特性，却一直印在他的脑海之中。

1930年，在上海私立民智中小学读书的王守武在《民智》第11期“男生专号”上刊登了短文《我们现在和将来的责任》。

1934年，父亲自北平中央研究院工程研究所退休后返回上海，因留恋故乡情，

研制成功中国第一只锗合金扩散晶体管

1957年在王守武和吴锡九的组织领导下，在中国科学院应用物理研究所半导体研究室开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉，拉制成功了中国第一根锗单晶。研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术。1958年在中国科学院109厂组织开展了锗高频晶体管的批量生产。到1959年底，为研制109乙型计算机的计算技术研究所，提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管，完成了该机所需的半导体器件的生产任务，及时为两弹一星任务提供了技术保证。

成立全国半导体测试中心

1962年锗、硅半导体材料和器件的生产在全国蓬勃发展起来，但是材料与器件质量的检测手段远不能适应客观需要。王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建全国半导体测试中心，并兼任该中心主任。他领导并参与了对半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特

1979年因4千位MOS动态随机存贮器的研制成功，“N沟MOS4096×1位动态随机存贮器提高管芯成品率的研究”，获1980年中国科学院科技成果奖一等奖，1980年因“16K位MOS动态随机存贮器”的研制成功，获中国科学院重大科技成果奖一等奖，1985年因建集成电路大生产工艺试验线成功，“集成电路大生产试验”获中国科学院科技进步奖二等奖，因参与指导“半导体双稳态激光器的研究”获中国科学院科技进步奖二等奖，1987年因参与“世界新技术革命和我国的对策”研究获1987年国家科技进步奖二等奖，1990年因主持建成“集成电路中试生产线”获中科院科技进步二等奖。

1919年，王守武出生于苏州名门望族东山莫釐王氏，祖父王颂蔚是晚清著名历史学家、文学家，他崇尚实学，祖母谢长达是著名的苏州女权运动先驱，曾组织成立放足会，宣传妇女解放、女子独立，与人筹资创办振华女校。

王守武的父辈个个学有所长，几乎都是中国近代科学初期的开创性人物。伯父王季烈是清末民初物理教育家，翻译编写了多部理科教材，是用“物理”来翻译西文physics一词的最早倡导者；叔叔王季点毕业于东京工业学院应用化学科，热心于“实业救国”，曾创办火柴公司及北京玉泉酿酒公司等企业，自任董事长，参与技术指导；叔叔王季绪是我国最早的机械工程专家之一，先后执教于北京大学、北平工业学院等，曾任北洋大学工学院代理院长；王守武的姑姑们也都接受过现代教育，她们或留学日本、美国，或考入清华大学等名校就读。姑妈王季茝1918年在美国芝加哥大学获得博士学位，是第一位华人女博士。

在家庭教育上，王守武受父亲王季同的影响很大。父

在中国半导体学界享有崇高威望的半导体物理学家、微电子学家的王守武，把发展中国半导体科学事业视为已任，兢兢业业为之奋斗了一生。

他远见卓识，富于开拓精神，勇于以发展国民经济、增强综合国力为出发点，开拓新领域，夺取新成果；他对工作十分认真，一丝不苟，重视实践，讲究实效，严格按科学规律办事；他为人忠厚、诚实，待人温情、谦和；他作风民主，平易近人，无论是在学术讨论中，或做其他工作时，总是谦虚谨慎，平等待人，谈泊名利。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。

王守武先生虚怀若谷，克己奉公，严于律己，宽厚待人，对党、对国家、对人民无限忠诚。他用无私奉献谱写了精彩人生，为我们树立了光辉榜样。他的一生是为科学事业不懈奋斗的一生，他的逝世是科学界的一大损失。

王守武是我国著名的半导体器件物理学家、微电子学家。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。

2006年11月起，王守武夫妻捐资40000元在湖北省鄂州市的泽林高中设立“英才奖学金”，专门奖励成绩优异、家境贫困的学子。