阙端麟

1928年5月19日（民国十七年），阙端麟生于福建省福州市，

1947年（民国三十六年），毕业于福州英华中学；

1951年，毕业于厦门大学电机系并留校任教；

1953年，阙端麟被调到浙江大学工作。作为电机系的一名教师，他一开始并未从事半导体方向的研究，为学生开设了一门新课：《电工材料》，其中包括了半导体的内容，在教学研究过程中，他觉得半导体材料是一个新的研究方向，于是在到浙大后的次年，便开始研究半导体温差材料，不久就研制成功了中国第一台温差发动机。当时，国际上对半导体材料———硅的研究也在开始阶段。经过分析思考，阙端麟选择了硅材料作为研究方向。

1954年，晋升为讲师；

1954年，他开始从事温差电材料的研究，跨入了半导体材料这一新兴学科，试制成中国第一台温差发动机；

1959年转向硅材料的研究；

1964年，在中国首先用硅烷法制成纯硅，随后在浙江大学组成了扩大的研究课题组；

1970年，完成了高纯硅烷及多

阙端麟长期从事半导体材料研究工作，在中国首先开展用硅烷法制备纯硅，驻高纯硅烷的研究。负责并领导高纯极高阻硅单晶的研制，成功地研制出极高阻控测器级硅单晶。

阙端麟试制成中国第一台温差电发电机；在中国首先用硅烷法成功研制出极高阻探测器级硅单晶；首先提出用氮气作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶；发展了单色红外光电导衰减寿命测试理论和技术，主持研制的测试仪器技术指标大大优于同类进口仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。

研究成果：全分子筛吸附法提纯硅烷、高频1.09μm红外光电导衰减硅单晶少子寿命测试仪、减压充氮直拉硅单晶技术。

阙端麟发表的重要论文50余篇。获中国发明专利权8项。

主要论著

1：阙端麟，采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶方法，中国发明专利，CN85100295B(已授权)。

2：阙端麟，重掺锑硅单晶的制造方法，中国发明专利，CN86100854B(已授权)。

3：阙端麟，直拉

曾担任国务院学位委员会第二、第三、第四届非金属材料学科评审组组长、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组组长、浙江省科协主席等职。1984年加入九三学社，历任九三学社第一、第二届浙江省委会副主委，第三、第四届主委，第五届名誉主委，第八届中央委员，第九、第十届中央常委。曾任第六届全国政协委员，第七届全国人大代表，第七、第八届浙江省政协副主席。

阙端麟始终平易近人，发言时从来不拿腔拿调、拖泥带水，一贯都是突出重点，言简意赅。与阙端麟有过一定接触的人，都觉得他身上有着“正直与无私”的人格魅力。其一生的为人印证了“有容乃大，无欲则刚”这句格言。（全国人大常委、浙江省人大常委会副主任、九三学社浙江省委主委姒健敏评）

阙端麟先生是九三学社浙江省委德高望重的老领导，他为浙江省九三学社组织的建设和发展作出的贡献有目共睹，载于史册，他是全省社员的学习楷模，他的高尚品德和情操一直都在激励、鞭策人们朝着“思想上坚定，履职上坚实、组织上坚强”的高素质的中国特色社会主义参政党目标前进。（九三学社浙江省委专职副主委兼秘书长马永信评）

阙端麟是一位执着求真、勇于创新的著名学者，他怀着强国兴教之理想，投身教育事业，奉献了自己的毕生精力。他六十年如一日奋斗在教学与科研第一线，成绩卓越。为中国的半导体材料产业作出重大贡献，他对教育事业的无限忠诚，忘我工作、甘于奉献的敬